САНТА-КЛАРА (Калифорния), БОЙСЕ (Айдахо), 14 апреля 2011 г. – Intel и Micron Technology объявили о переходе на нормы 20-нм технологического процесса при производстве NAND-памяти. Новый процесс позволяет выпускать чипы с многоуровневой структурой ячеек (MLC) емкостью 8 ГБайт в виде миниатюрных модулей, позволяющих хранить огромное количество музыкальных треков, видеороликов, электронных книг и других данных в смартфонах и планшетах. Эти чипы будут применяться также в твердотельных накопителях (SSD).
Постоянное развитие цифровой экосистемы и непрерывное расширение функционала мобильных цифровых устройств требуют наличия накопителей все более высокой емкости. Новые микросхемы емкостью 8 ГБайт, выполненные на базе 20-нм технологии, имеют площадь всего 118 кв. мм, занимая на 30-40% меньше пространства на печатной плате (зависит от типа корпуса) по сравнению с чипами емкостью 8 ГБайт, выполненными на базе 25-нм технологии. Уменьшение размеров позволяет улучшить свойства конечного продукта, например, установить батарею большей емкости, больший экран или добавить еще один чип для расширения функционала.
Новые чипы, выпускаемые IM Flash Technologies (IMFT), совместным предприятием Intel и Micron, являются настоящим прорывом в области проектирования и технологий производства NAND-памяти и укрепляют лидерство партнеров в данной сфере. Уменьшение техпроцесса является эффективным способом расширения производственной мощности в пересчете на единицу объема информации - данный шаг позволил примерно на 50% увеличить мощность производства в гигабайтах по сравнению с технологией предыдущего поколения. При этом 20-нм процесс сохраняет прежний уровень скорости работы флэш-памяти и обеспечивает столь же длительный срок эксплуатации.
В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 20-нм чипов памяти на 8 ГБайт. Серийный выпуск планируется начать во второй половине 2011 г. В ближайшее время Intel и Micron планируют представить образцы модулей емкостью 16 ГБайт, которые позволят создавать твердотельные накопители емкостью 128 Гбайт размерами меньше, чем почтовая марка США.
О Micron
Micron Technology, Inc. – крупнейший поставщик современных полупроводниковых решений. Работая на глобальном рынке, Micron выпускает и продает NAND-, NOR- и DRAM-память, другие полупроводниковые компоненты и модули памяти для использования в современных компьютерах, потребительской электронике, сетевом оборудовании и мобильных продуктах. Обыкновенные акции Micron котируются на бирже NASDAQ под символом MU. Чтобы узнать больше о Micron Technology, посетите www.micron.com.
Об Intel
Intel – ведущий мировой производитель инновационных полупроводниковых компонентов – разрабатывает технологии, продукцию и инициативы, направленные на постоянное повышение качества жизни людей и совершенствование методов их работы. Дополнительную информацию о корпорации Intel можно найти на веб-сайте www.intel.ru/pressroom и на русскоязычном Web-сервере компании Intel (http://www.intel.ru).
Intel и логотип Intel являются товарными знаками корпорации Intel в США и других странах.
©2011 Micron Technology, Inc. и Intel Corporation. Все права защищены. Информация может быть изменена без уведомления.
Micron и логотип Micron являются товарными знаками Micron Technology, Inc.
Данный пресс-релиз содержит заявления прогностического характера, связанные с производством 20-нм модулей NAND-памяти емкостью 8 и 16 ГБ. Фактические события могут значительно отличаться от тех событий, которые указаны в заявлениях прогностического характера. Пожалуйста, обращайтесь к документам Micron, которые компания время от времени направляет в Комиссию по ценным бумагам и биржам США, в частности, к последним поданным документам Micron по формам 10-K и 10-Q. Эти документы содержат и определяют важные факторы, которые могут оказать влияние на фактические результаты деятельности Micron, которые могут существенно отличаться от того, что сказано в заявлениях прогностического характера (смотрите Certain Factors). Мы убеждены в том, что наши ожидания, указанные в заявлениях прогностического характера, являются вполне обоснованными, однако мы не можем гарантировать эти результаты, высокий уровень деятельности, производственную эффективность и достижения.